Главная  Радио и связь 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 [ 69 ] 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174

На рис. 4.15, б, в показаны процессы разряда и заряда конденсатора С, а на рис. 4.15, г - временные диаграммы работы схемы при /о=0. В процессе разряда конденсатора С диод Д1 закрыт, а диод Дг открыт. При /о=0 разряд-


2<

Вход 1 Выход X S)

~ВШы


ir\lsx-fe

Открыт "/" Закрыт .1

30 ЕО SO по t,mc

3D 60 3D mt.MKc

3-2-f-

3D 60 9D 120 t МКС

О

3D 60 90 120 t,mc

30 60 90 120 i,MKC


Рнс. 4.15. Схема управляемого генератора на трех вентилях И -НЕ с отрывными диодами (С=68 нФ)

ный ток 1с обеспечивается вентилем Уг, работающим в своеобразном режиме, прн котором входной ток вентиля равен выходному току. Из анализа входной характеристики ка рис. 3.4 и временных диаграмм на рис. 4.15, г реальной схемы следует, что /с«0,8 мА. Прн наличии токов /о конденсатор разряжается током, равным /с + /о, а входная цепь вентиля Уг воспринимает ток /с+2/о. Полагая, что для вентиля Уг /выхта1=20 мА, убеждаемся, что время разряда



конденсатора можно уменьшить приблизительно в Iollc12,5 раза. В процессе заряда конденсатора С диод Дг открыт, а диод Дг закрыт. При /о=0 зарядный ток /с" обеспечивается входной цепью вентиля Уз и воспринимается выходной цепью вентиля Ух.


Входы

Входы

о 60 120 ШО 240 300 360 t,mc



О 60 120 т

в 60 120 180 2W 300 360 Ш t.MKC Vc,B


О 60 120 1В0 2W 300 360 420t,MKC tta-Vi,B


О 60 120 180 240 300 360 420 t.MKC

О 60 120 №0 240 300 360 t/1KC

Рис. 4.16. Схемы генераторов на двух вентилях И - НЕ (а, в) и временные диаграммы их работы (б, г) (/?=300 Ом; С=0,47 нкФ)

Из анализа входной характеристики, показанной на рнс. 3.4, и временных диаграмм (рис. 4Д5, г) работы реальной схемы следует, что /с"»0,8 мА. При наличии токов /о конденсатор заряжается током 1с" + /о, а выходная цепь вентиля yj воспринимает ток Iq + Ixvl + 0"

Полагая, что для вентиля Ух ток /вых max =20 мА, убеждаемся, что и время заряда конденсатора С можно уменьшить приблизительно в 12,5 раза. Результат 12,5 хорошо совпадает с величинами 10-15. приводимыми в [15]. Щолагая, что транзисторы Tl - Тз-кремниевые, а /?=470 Ом, получим, что для измепецря тока /о от О до ,10 мА необходимо изменять t/ynp от 6,2 до 11,9 В, С увеличением тока /о частота генерации возрастает.



На рис. 4.16, а, в приведены варианты генераторов, выполненных на двух вентилях ТТЛ серии К155, а на рис. 4.16, б, г - временные диаграммы при Р=300 Ом, .С=0,47 мкФ. В обеих схемах величина резистора R должна удовлетворять требованиям, рассмотренным при анализе схемы, показанной на рис. 4.14, а.

Выход 1



КЗнас

3 1 1 О

Зона допусти-/mix уровней.

упр. ср

упр min

упр. так

t, мкс

Рис. 4.17. Схема управляемого генератора на базе мультивибратора с эмиттерной связью:

о - принципиальная схема; б - расчетная схе.ча; в - временные диаграммы работы в допустимой зоне уровней fypp

При анализе работы схемы, изображенной на рис. 4.15, было установлено, что управляемый генератор, выполненный на элементах ТТЛ-типа, позволяет изменять частоту чуть более чем в 10 раз. Если диапазон изменения частоты должен быть значительно больше, необходимо использовать другие схемы генератора. Одна из таких схем приведена на рис. 4.17. Схема генератора построена на базе мультивибратора с эмиттерной связью, в которой транзисторы Ti и Гг образуют усилительный каскад с положительной обратной связью. В любой момент времени насыщен транзистор Г, или Гг и задающий конденсатор С попеременно то заряжается, то разряжается током постоянного значения /о, который определяется управляемым источником тока на транзисторах Гз и Та.

Пример 4.12. Проведем анализ работы схемы, показанной на рис. 4.17. Рассмотрим процессы, происходящие в схеме, показанной на рис. 4.17, б, сразу после насыщения транзистора Гг. Положительный потенциал на конденсаторе С, су-



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 [ 69 ] 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174


0.0043