tRc.m. (11.2)

При выполнении условий » /кбоъ » /квог будем иметь

(и«0,7К,Сь (И.З)

аОЛЯгСг- (И.4)

Длительность отрицательного фронта выходного импульса

при запирании транзистора

Гф«ЗКк2С2. (11.5)

Длительность положительного фронта выходного импульса определяется переходными процессами отпирания транзистора Гг и составляет несколько v Обычно принимают [15], что «

«ЗТа.

Условие насыщения открытого транзистора

R PminRK. (11.6)

Обычно принимают R = 0,8Рп,1пЯк.

Максимальная скважность последовательности выходных импульсов

етах=+1. (11.7)

На рис. 11.2, а представлена схема ждущего мультивибратора с коллекторно-базовыми связями. Транзистор Ti в исходном состоянии закрыт положительным напряжением смещения Ем-Транзистор Гг открыт и насыщен. При воздействии короткого запускающего импульса в схеме происходит регенеративный процесс, в результате которого транзистор Тг закрывается, а транзистор Ti входит в режим насыщения.

Такое состояние схемы является квазиустойчивым, так как конденсатор С перезаряжается с постоянной времени Тр = RC, стремясь изменить свою полярность на противоположную. При этом положительное напряжение на базе транзистора Тг уменьщается по экспоненте с той же постоянной времени, стремясь к значению -Е - IkeoR- В момент времени г напряжение U52 достигает нулевого значения, транзистор Тг открывается, вновь возникает регенеративный процесс, в результате которого транзистор Ti закрывается, а Тг входит в режим насыщения. Конденсатор С заряжается с постоянной времени = RkiC, и схема возвращается в исходное состояние.

Временные диаграммы, иллюстрирующие работу ждущего мультивибратора с коллекторно-базовыми связями, представлены на рис. 11.2,6.

"51

1-X" X

Puc. n.i

Расчетные формулы имеются в литературе [15]. Время, в течение которого схема находится в квазиустойчивом состоянии (называемое временем выдержки), определяет длительность формируемого выходного импульса

2Рк + Jreo (Р - Pki) Рк + кБоР

Если выполняется условие Р»/кбоР> то формулу (11.8) можно записать так:

t„ = PC In 2 «0,7 PC. (11.9)

Время восстановления исходного состояния определяется зарядом конденсатора С:

ta = PCln

(11.8)

(3-5) Pri С.

(11.10)

Длительность отрицательного фронта выходного импульса (ф2 определяется зарядом конденсатора С после запирания транзистора Т.

(ф2«2,3(Рк2Р,)С.

(11.11)

Длительность положительного фронта ф определяется регенеративным процессом отпирания транзистора Тг.

4 «Зт„. (11.12)

Для надежного запирания транзистора Ту при максимальной температуре окружающей среды сопротивление резистора R2 выбирают из условия

Ecu /кБОтахг- (11.13)

Недостатком схемы ждущего мультивибратора с коллекторно-базовыми связями является влияние сопротивления нагрузки на процессы переключения схемы и большая длительность фронта коллекторного напряжения U при запирании транзистора Тг, которая определяется зарядом конденсатора С (рис. 11.2, б). Эти недостатки отсутствуют в схеме ждущего мультивибратора с эмиттерной связью (рис. 11.3, а). Временные диаграммы работы ждущего мультивибратора с эмиттерной связью приведены на рис. 11.3,6.

В исходном состоянии схемы (t/gx = 0) транзистор Ту закрыт, а транзистор Тг открыт и насыщен. При подаче на базу транзистора Ту короткого отпирающего импульса запуска [/зад в схеме возникает регенеративный процесс, в результате которого схема скачком переходит в квазиустойчивое состояние, во время которого конденсатор С разряжается с постоянной времени Тр = (Кз + R)C х КС, а напряжение 17б2 на базе транзистора Тг уменьшается по экспоненте с той же постоянной времени от значения - t/ai - - кбЛь стремясь к величине -Е - /кво-

Условие насыщения транзистора Ту имеет вид

Rk2 < RkI - Rl/Pmin-

Обычно принимают

R„= (1,5 4-4,0) Яй. (11.14)

Когда напряхсение U52, уменьшаясь, становится равным напряжению U31 = /313. в схеме происходит обратный переброс. Конденсатор С заряжается с постоянной времени Тз = = RiC до значения Ек - 1э2. и схема возвращается в исходное состояние.

Время выдержки (длительность выходного импульса) можно рассчитать по формуле

tH = Rcin--("; + f-;<-f-- (11.15)

Ек - + IkboR