ратура Г= 300 К, объемное сопротивление диода = 1 Ом. Время жизни носителей заряда Тр = 10 мкс. Ответ: Кф = 1,7 Ом; Сд = 6 мкФ.

1.44. Диод Д101 включен в схему, изображенную на рис. 1.7, fl. Напряжение источника питания £ = 2 В, сопротивление резистора нагрузки Л„=1 кОм. Требуется: определить ток диода, напряжение на диоде и на нагрузке; построить рабочую характеристику диода. Вольт-амперная характеристика диода изображена на рис. 1.18, я.

Ответ: /д = 0,7 мА; U„=l,2 В; С/«„ = 0,8 В.

1.45. Пользуясь справочником, определить, во сколько раз уменьшится допустимое обратное напряжение полупроводникового диода типа Д302 при изменении температуры окружающей среды от 20 до 70 °С.

1.46. Пользуясь справочником, выбрать тип диода, пригодного для вьшрямления переменного синусоидального напряжения с амплитудой t/ = 400 В и рассчитанного на вьшрямленный ток 250 мА.

1.47. Обратное напряжение через резистор R подается на диод типа Д101. Определить напряжение на диоде и ток диода при сопротивлении резистора, равном: а) 10 МОм, б) 1 МОм, в) 100 кОм. Вольт-амперная характеристика диода изображена на рис. 1.18, а. Напряжение источника Е = 50 В.

Ответ: а) t/д = 1 В, /д = 2,8 мкА; б) U„ = 17 В, /д = = 1Дл«сА; в) t/д = 27,8 В, /д - 20 мкА.

48Г)При прямом напряжении 1 В максимально допустимый ток диода равен 50 мА. Каково наибольшее значение напряжения источника, при котором диод будет работать в безопасном режиме, если этот диод соединить последовательно с резистором нагрузки R„ = 100 Ом?

Ответ: 6 В.

1.49. Пользуясь ВАХ диода типа Д813, определить при Т = = 20°С: а) напряжение стабилизации; б) максимально допустимый прямой ток, если максимально допустимая рассеиваемая мощность диода равна 125 мВт.

1.50. Как зависит температурный коэффициент напряжения (ТКН) от вида пробоя р-п-перехода в полупроводниковом стабилитроне? Для каких напряжений р-и-перехода ТКН близок к нулю? Каким способом можно уменьшить ТКН полупроводниковых стабилитронов?

Для стабилизации напряжения в схеме подобрать по справочнику полупроводниковый стабилитрон и рассчитать сопротивление ограничительного резистора, если сопротивление нагрузки Л„ = 500 Ом. Необходимое напряжение стабилизации t/cT = 10 В, напряжение источника питания £ = 16 В.

Рис. 1.20

Ответ: Д814В; J?orp = = 160 Ом.

1.52. Пользуясь вольт-амперной характеристикой полупроводникового стабилитрона Д809 (рис. 1.20), графически определить рабочий режим (L/cT, /ст) стабилитрона, подключенного последовательно с ограничительным резистором Когр = = 500 Ом к источнику питающего напряжения е = = В В при Т= 20 °С. Определить параметры Rq, Гдиф для указанного выше режима и найти значения ТКН стабилитрона.

Ответ: U„ = 8,3 В; lex = 9 мА; Ко = 920 Ом; Гд„ф = 50 Ом; ТКН = 0,1%/К.

1.53. Для условий, сформулированных в предьщущей задаче, определить пределы изменения сопротивления резистора нагрузки, если напряжение источника питания £ = 30 В.

Ответ: = 256 Ом; R, = l кОм.

1.54. Изобразить полную схему замещения варикапа и пояснить, как определяются ее параметры. Какой величиной характеризуется нелинейность варикапов в рабочем интервале напряжений?

1.55. Пользуясь справочником, определить емкость варикапа типа Д901В при комнатной температуре и максимальном обратном напряжении.

1.56. Пользуясь справочником, определить при номинальном напряжении изменение емкости варикапов де01В, вызванное изменением температуры окружающей среды от 20 до 100 °С.

1.57. Пользуясь справочником, определить добротность варикапа Д901В при температуре окружающей среды, равной 25 °С.

1.58. Определить предельную рабочую частоту и добротность, а также диапазон перекрытия по емкости варикапа, максимальное напряжение которого J7 = 80 В, номинальная емкость Св = 28 пФ лри напряжении 4 В, коэффициент перекрытия к = 4, а индуктивность ввода и контактов Ц=1 мкГн.

Ответ: /„рд = 62 МГц, Q = 90, АС = 7 пФ.

1.59. По ВАХ туннельного диода типа ГИ304 при Т = 300 К (рис. 1.17) определить следующие парамегры: Гд,,ф, /„Д, U„, U.

1.60. Начертить график зависимости дифференциального

Рис. 1.21

1д сопротивления от подводи-

* мого напряжения для тун-

нельного диода. Использовать значения напряжения в интервале от О до 0,45 В (рис. 1.17).

а) S) 1.61. Два туннельных ди-

ода типа ГИ304, ВАХ которых изображена на рис. 1.17, соединены последовательно (рис. 1.21, а). Построить эквивалентную вольт-амперную характеристику.

1.62. Два туннельных диода типа ГИ304 включены параллельно (рис. 1.21, б). Построить эквивалентную вольт-амперную характеристику. ВАХ каждого диода изображена на рис. 1.17.

1.63. Два туннельных диода типа ГИ304 (см. рис. 1.17) включены встречно. Построить эквивалентную ВАХ.

1.64. Последовательно с диодом типа ГИ304 (см. рис. 1.17) включен резистор, сопротивление которого R = 2Ub/I„, где С/„ и /„ соответственно минимальное напряжение и максимальный ток туннельного диода. Построить ВАХ этого соединения.

1.65. Параллельно с диодом типа ГИ304 (см. рис. 1.17) включен резистор с сопротивлением R = lUn/Ia, где U„ - максимальное напряжение туннельного диода; - минимальный ток туннельного диода. Построить зависимость общего тока от напряжения на диоде.

1.66. Последовательно с туннельным диодом типа ГИ304 (см. рис. 1.17) включен полупроводниковый диод типа Д305, ВАХ которого изображена на рис. 1.18,6. Построить зависимость тока в этой цепи от подводимого напряжения.

1.67. Параллельно туннельному диоду типа ГИ304 (см. рис. 1.17) включен резистор сопротивлением R. Найти такое значение этого сопротивления, при котором результирующая вольт-амперная характеристика не имеет области с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Построить эту характеристику.

1.68. Определить предельное значение рабочей частоты для туннельного германиевого диода, имеющего следующие параметры: 1п=10мА; = 4,5; U„ = 0,06 В; 17рр = 0,4 В, емкость С = 50 пФ, а также найти среднее значение модуля дифференциального сопротивления на падающем участке характеристики, объемное сопротивление R и постоянную времени переключения z, если 1/ = 0,18 В, радиус р-и-перехода г =