Требуемое число диодов определяют по формуле

n=Iml Ствыпр max);

где к - коэффициент нагрузки по току, принимающий значения от 0,5 до 0,8. При к, = 0,8

и = 400/(0,8-200) =2,5.

Возьмем п = 3.

Значения сопротивлений добавочных резисторов найдем по формуле

tnp.cp(n-l)

доб :

выпртах iX]

Пользуясь справочником, находим 1(3-1)

3-300-10--1,1-400-10- 5 Ом.

Схема показана на рис. 1.14.

= 4,35 Ом.

Возьмем Кддб = 5 Ом.

lUj У.Дг lUj

Рис. 1.14

Рис. 1.15

.19уСплавной диод работает в простейшей схеме выпрямления с резистором нагрузки Л„ = 10 кОм (рис. 1,15). Диод имеет = 40 Ом, R = 400 кОм и С = 80 пФ. Найти частоту, на которой вьшрямленный ток за счет влияния этой емкости уменьшится в два раза.

Решение

Учитьшая, что R„»R„p и R«Rp, можно счхггать на

низких частотах /„рах

= С/тах/(/„ + /?сбр)«С/„

прежнему 1 » U/R, 1 = U/Z. При уменьшении тока /з„„р в два раза должно быть 1 = О 5/пр; следовательно, Z = 2R.

обр max

x/i?ogp </j,p. На высокой частоте по-

Можно считать, что Z = /л2 + х, так как Xc«R Отсюда

обр*

Хс .= j/z - Rl = 1/4R2 Rl = j/i„ = 1,73Л„ = 1,73 10* Ом. Так как Хс = iK2nfQ, то

1 102

/ = -

1078,68 =

2кХсС 6,28-80-1,73-10*

= 115-10 Гц = 115 кГц.

(ЬЖ) Полупроводниковый диод имеет параметры R„p = = 40-СЛ1, Лр = 0,4 МОм, С = 80 пФ. Определить, на какой частоте емкостное сопротивление станет равно Rp и вследствие этого произойдет заметное увеличение обратного тока. fiLmem: 5 кГц.

и,21Гля стабилизации напряжения на нагрузке (рис. 1.16) испоЛьзуется полупроводниковый стабилитрон, напряжение стабилизации которого U„ = 10 В. Определить допустимые пределы изменения питающего напряжения, если максимальный ток стабилитрона /„щах = 30 мА, минимальный ток стабилитрона Icrmm - 1 сопротивление нагрузки R„ =

= 1 кОм и сопротивление ограничительного резистора Кдр =

= 0,5 кОм.

г. ОГР

. Решение -

Напряжение источника питания

£= t/„ +Логр(/„ + /ст).

Ток через нагрузку

Рис. 1.16

Таким образом,

£ = [/„(!+/?сгрЮ + /Лгр-

Подставляя в эту формулу максимальное и минимальное значения тока через стабилитрон, получим

£„i,= 10(1 + 0,5)+1-0,5 = 15,5 В,

£,„ах=10(1 +0,5) + 30-0,5 = 30 В.

П1.22Кремниевый стабилитрон типа Д813 включен в схему стаВйлизатора напряжения параллельно с резистором Л„ = = 2,2 кОм ис. 1.16). Параметры стабилитрона: напряжение стабилизации = 13 В, максимальный ток /сгтах - 20 мА, минимальный ток /сттт = 1 Найти сопротивление ограничительного резистора R, если напряжение источника Е меняется от £„in = 16 В до £„ах = 24 В. Определить, будет ли

обеспечена стабилизация во всем диапазоне изменения напряжения источника.

Решение

Сопротивление ограничительного резистора определим по формуле

/?orp=№cp-C/cr)/(/cp.cr + U

где £ер = 0,5 + £,„ J = 0,5 (16 + 24) = 20 В. Средний ток через стабилитрон

= 0,5(/„„,„ + J = 0,5(1 + 20) = 10,5 В.

Ток через нагрузку t

h = V„IK = 13/(2,2.10) = 5,9 мА.

Следовательно, сопротивление ограничительного резистора

R,,p = (20 - 13)/[(10,5 + 5,9) 10-] = 7/(16,4-10-) « 430 Ом.

Стабилизация будет обеспечена для изменения Е в пределах от

E„i„ = t/„ + (7„„i„ -h = 13 + (10- + 5,9 • 10- ) • 430 «16 В

до £тах = С/ст + (/сгтах + 4) /?огр =

= 13 + (20-10- + 5,9-10-)-430 = 24,1 В.

Таким образом, стабилизация получается во всем диапазоне изменения напряжения источника питания.

1.23. Барьерная емкость полупроводникового диода р резким переходом равна 25 пФ при обратном напряжении 5 В. Определить уменьшение емкости при снижении обратного напряжения до 7 В.

Решение

Пренебрегая контактной разностью потенциалов, используя формулу (1.8), можно записать

где к - постоянная; U - обратное напряжение. Отсюда к =

При обратном напряжении 7 В барьерная емкость = к/иу = Сб, t/iVt/i/ = 25]/5/]/7 = 21 пФ.

Следовательно, емкость уменьшится на величину АС = Сб1-Сб2 = 25-21 = 4 пФ.

1.24. Пользуясь ВАХ туннельного диода ГИ304 (рис. 1.17),