ления определяется только коэффициентом передачи цепи обратной связи.

Входное сопротивление усилителя, согласно формуле (4.6), увеличивается: Явхос = RbxI = = [j-6l+(-3l+Ro)(l + Pel)]x

X (1 + уКи). Если учесть шунтирующее действие базового делителя в первом каскаде Re = Ri R2, то R,

+ P.i)](l+Yit/)}-

Выходное сопротивление уменьшается согласно формуле

(4.7):

Явых.сч= = Rk2 \\ {Ro + Яос)/(1 + YjKt/xx),

Рис. 4.10

Re II {[»-б1 + (-э1+Яо)(1 +

Kj/xx - К

Pe2R.2 II {Rq + Roc)

На практике стремятся уменьшить глубину местной обратной связи, выбирая сопротивление Ro возможно малым. С уменьшением этого сопротивления приходится соответственно уменьшать и сопротивление Roc. чтобы сохранить требуемую величину коэффициента усиления Kuoo- При этом цепь обратной связи Ro - Roc получается низкоомной. Шунтируя выход усилителя, эта цепь снижает усиление, что, в свою очередь (при заданном коэффициенте усиления K-uoo), приводит к уменьшению глубины общей обратной связи.

Очевидно, что существует оптимальное значение Roonr и Roc. опт, при которых имеет место максимально глубокая общая обратная связь, т. е. имеет место наибольшая стабилизация характеристик усилителя.

Дифференцируя выражение для Kyjio Ro и приравнивая производную нулю, найдем

Яоопт -

R«R

ВЫХ.Э1

Явых.э1 = э! +

- Яоопт {Kuoc ~~ 1),

Гб1 + Rr

1 + Pel

г) Деухкаскадный усилитель с общей параллельной обратной связью по току

Соответствующая схема изображена на рис. 4.11. Сигнал обратной связи, пропорциональный выходному току, выделяется на резисторе Ro и через делитель R - Roe подается во входную цепь, где складывается в противофазе со входным сигналом. Кроме общей обратной связи существует и местная обратная связь последовательного типа по току во втором каскаде. Особенностью схемы является отсутствие базовых делителей и межкаскадной переходной емкости. Режимный базовый ток транзистора Г] протекает по резистору R

ос, ток

транзистора 7 - по резистору Rki- Конденсатор Сз не пропускает постоянный ток через резистор R. Поэтому этот резистор позволяет регулировать глубину общей обратной связи, не изменяя режимного базового тока транзистора Т.

Рис. 4.12

Согласно формуле (4.12), для данного усилителя

Ki Kj

F 1+yKj

где KiKnKn, Y =-Ro/(Ro + Roc im in = РеЛДг + Rbxi). Kl2 ~ Pe2RKl/(RKl + Rbx2)-

Входные сопротивления первого и второго каскадов можно

представите в виде RbxI = ei + fal (1 + Pel), Rsxl = Гб2 + (»э2 +

+ Roll Roc) (1 + Рй)-

Заметим, что в выражении для R2 учитывается местная обратная связь по току. Итак, общая обратная связь данного типа уменьшает коэффищтент усиления по току в 1 + yKj раз. Кроме того, уменьшается входное сопротивление усилителя и увеличивается выходное сопротивление усилителя. При глу-

1 R IIR

бокой обратной связи Kioc = - = 1 Ч--~-. Так же как и в

Y Ro

предьщущей схеме, существуют оптимальные значения сопротивлений RoonT и Roconx:

RoonT -

MRr II RBxl)RBbix.32 р D fr n

Л/ос - i

RkI + Гб2

RBbix.32 - 32 +

1 + P,

<e2

д) Трехкаскадные усилители с общими обратными связями Охватывать три усилительных каскада общей обратной связью опасно из-за возможности самовозбуждения, поэтому третьим каскадом обычно оказывается повторитель напряжения. Такой усилитель с повторителем в случае малых емкостей нагрузок подобен двухкаскадному усилителю. При этом расчет схемы трехкаскадного усилителя с общей последовательной обратной связью по напряжению (рис. 4.12) можно производить на основании соответствующих соотношений для схемы на рис. 4.10. Повторитель позволяет при заданном усилении выбрать малую величину сопротивления Rq без заметного шунтирования второго каскада цепью обратной связи Rq - Roc- Это позволяет получать в трехкаскадных усилителях большую глубину обратной связи.

Трехкаскадный усилитель с общей обратной связью на полевых транзисторах показан на рис. 4.13. В первом каскаде (транзистор Ti) введена местная последовательная обратная связь по току на резисторе Rq. Усиление этого каскада

где Si - крутизна характеристики полевого транзистора Ti.

В формуле (4.18) учитывается, что нагрузкой первого каскада является высокоомный резистор R32. Второй каскад на транзисторе 7 построен по схеме с общим истоком, для