Решение

В режиме насыщения напряжения С/э ~ 0. Входное напря-

жение

Ubx= -/*э-/б/6-

Напряжение коллекторного источника питания

Ток эмиттера Ток коллектора

/э=*/б(Р+1).

Ik к Р/б.

Следовательно, входное напряжение

t/ex = - Ih (Р + 1) Я, + hRe] = - /б [Яэ (Р + 1) + Кб]. Если напряжение источника питания

£к=-/б(р+i)R+hm«=-h [ДэФ+1)+

то ток базы

-£„ 28

Яэ(Р+1) + р/н 10(9 + 1) + 9-2-10=

= 1 мА.

Таким образом, окончательно получим U = - 1 [1 (9 + 1) + + 15] = -25 В.

«5

Рис. 2.24

Рис. 2.25

2.26. В схеме на рис. 2.25 используется транзистор с коэффициентом передачи тока эмиттера а = 0,99 и обратным током коллектора /кбо= мкА. Данные схемы: Яэ = - 3 кОм, R„ = = 2 кОм, Eg = 20 В. Определить, при каком минимальном значении входного напряжения транзистор будет работать в режиме насыщения.

Решение

Транзистор будет работать в режиме насыщения, если напряжение коллектор - база 17кб = 0. Напряжение

и кб = -Е + IkRh-Приравняв это напряжение нулю, найдем коллекторный ток:

/к = EJR = 20/(2-10) = 10 мА. Из уравнения /к = а/э + /кБо найдем, что

/э = (/к - /кБо)/а = (10-10- - 10-10-«)/05>9 = 10 мА.

Пренебрегая падением напряжения на эмиттерном переходе, найдем искомое напряжение:

С/ех »1эКэ = 10-10- 3-10 = 30 В.

vi27Б схеме на рис. 2.26 (Kg = 50 кОм, К„ = 10 кОм, = = 24 В) используется транзистор с коэффициентом передачи тока базы р= 19. Определить напряжение коллектор-эмиттер.

Решение Пренебрегая током /кбо. имеем

С/кэ = £к - 1эК = £к - /б (Р + 1) R. = Ek- С/кэ (Р + 1) RJR,

откуда С/кэ =

1 + (Кн/Кб)(Р-И)

/10-10 \50-10,

= 4,8 Б.

(19 + 1)

Рис. 2.26

0"

Рис. 2.27

2.28. Транзистор, работающий в активном режиме, используется в схеме на рис. 2.27. Найти коэффициент усиления по lo-

. Решение

Здесь

h=Isx+If,

h = If + I., Подставив (4) в (2), получим

(1) (2) (3) (4)

Перепишем соотношения (1), (5) и (3) в виде, удобном для решения с помощью определителей:

о= + р/б-/„,

E, = RfIf + 0 + RJ„

(la) (5а) (За)

откуда

1 -1 -/„ 1 р О Rr о

1 -1 О 1 р -1 1 О R„

р£, + Ph,Rf + Е, PR„ + Rf + R„

Kj =

£ЛР+1)+Рв.Я. Rf + RA+\)

А/., R+R„(P+1) 1+Я„(Р+1)/Я/

Заметим, что если Я„(р + \)IRf » 1 и р » 1, то Ki = Rf/Ra, т. е. не зависит от свойств транзистора. Причиной этого является отрицательная обратная связь, осуществляемая резистором Rj.

2.29. Транзистор, используемый в схеме усилителя ОЭ, имеет следующие параметры: hi=lA кОм, /j2b = 45, hj23 = = 4,3-10-*, /j223= 18 мкСм. Сопротивление резистора нагрузки /?н = 16 кОм, внутреннее сопротивление источника сигнала