Выпрямительные и импульсные диоды предназначены для пропускания тока в одном направлении. Выпрямительные диоды используют в блоках питания на низких частотах в различных радиоузлах и цифровых устройствах.

Стабилитроны предназначены для стабилизации уровня напряжения при изменении величины протекающего через диод тока. Основными параметрами стабилитрона являются напряжение стабилизации и максимальный ток стабилизации.

Варикапы - диоды, у которых емкость р-п-перехода зависит от величины обратного напряжения. С увеличением напряжения емкость перехода уменьшается, с уменьшением напряжения - увеличивается. К основным параметрам варикапа относятся номинальная емкость и коэффициент перекрытия (отношение максимальной и минимальной емкости).

Переключаюшце диоди выпускают управляемые и неуправляемые. Они содержат четыре области с чередующи.мися типами проводимости р-п-р-п. При повышении напряжения до определенного значения происходит пробой переходов, после чего напряжение иа диоде падает до нескольких вольт. После включения диода напряжение источника должно гаситься на сопротивлении нагрузки, ограничивающем ток до предельно допустимого. В управляющем диоде от одной из внутреньих областей структуры сделан вывод (управляющий электрод). Прн пропускании определенного тоьа по цепи управляющего электрода диод открывается даже при малом напряжении. Для закрывания дкода необходимо уменьшить через него ток до величины тска выключения.

Основными параметрами переключающихся диодов являются: напряжение переключения jp - анодное напряжение, прн котором происходит включение диода без поступления тока управления; ток выключения /цкл - значение тока, при котором диод закрывается; прямой максимальный ток 1 j. - допустимое значение прямого тока, проходящего через открытый днод; ток управления (для управляющих диодов) - ток, при котором открывается диод прн малом напряжении на аноде.

Фотодиоды - элементы, предназначенные для преобразования световой энергии в электрическую. Под действием света обратное сопротивление фотодиода пропорционально уменьшается до некоторого значения.

Сеетодиоды - низковольтные электролюминесцентные элементы, излучающие электромагнитные волны в видимой или инфракрасной части спектра при пропускании прямого тока. Широкое применение получили светодиоды с красным и зеленым свечением.

Полупроводниковые диоды выпускают в стеклянных, пластмассовых и металлических корпусах, которые иногда окрашиваг-т в черный или другой цвет. Размеры диодов завися! от мощности рассеяния и югyт быть от нескольких миллиметров до нескольких сантиметров. Форма корпуса - самая разнообразная. DpHTOfe диода более 0,5 А предусматривают крепление корпуса к радиатору.

Транзисторы предназначены для усиления электрических сигналов. По исходному материалу их делят на германиевые и кремниевые, по диапазону рабочих частот - на транзисторы низких, средних и высоких частот. По мощности различают транзисторы малой, средней и большой мощности, По принципу действия транзисторы делят на биполярные (структуры р-п-р и п-р-п), однопере-

ходные и полевые (содержащие канал и управляющий переход или изолированный затвор).

В настоящее время действуют две системы маркировки транзисторов. По старой системе маркируются транзисторы, разработанные до 1964 г. и выпускаемые в настоящее время. По это1! системе обозначение состоит из трех элементов: первый - буква П (МП), второй - цифры (порядковый номер разработки), третий- буква (разновидность транзистора данного типа).

Обозначение типов траизпсторов, разработанных после 1964 г., состоит из четырех элементов: первый - буква или цифра, указывающая исходный материал (Г или 1 - германий, К или 2 - кремний, А или 3 - соединения галлия), второй - буква, определяющая подкласс Прибора (Т - транзистор биполярный, П - транзистор полевой), третий - цифры, определяющие классификационный номер и порядковый номер разработки, четвертый - буква, обозначающая разновидность транзистора данного типа по некоторым параметрам.

Транзисторы имеют три рабочих электрода: база (б), эмиттер (5), коллектор (к) в биполярных транзисторах илн затвор (г), исток (и), сток (с) в полевых транзисторах. В некоторых высокочастотных транзисторах имеется четвертый электрод •- корпус.

Приведем основные параметры биполярных транзисторов-

Обратный ток коллектора - ток через переход коллек

тор - база при разомкнутой цепи эмиттера.

Статический коэффициент передачи тока ftjjj - отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы в схеме с общим эмиттером.

Граничная частота коэффициента пере)1ачи тока -частота, при которой статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером уменьшается в 1,41 по сравнению с низкочастотным сигналом.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер к.э.о ~ значение предельного напряжения между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы.

Максимальный постоянный ток коллектора - ток коллектора, при котором транзистор может надежно работать длительног время.

Максимальный постоянный ток базы /g- допустимый ток базы, рассчитанный на длительную работу.

Максимальная ющнocть рассеяния Р„зкс"~ значение предельной мощности, рассеиваемой транзистором без перегрева корпуса.

Максимальная температура перехода Га;, - значение предельной температуры перехода, при которой обеспечивается надежная работа.

Управление биполярным транзистором осуществляется токо.м базы, проходящим по цепи база - эмиттер. В транзисторах структуры р-п-р (прямой проводимости) базовый ток проходит от эмиттера к базе, в транзисторах структуры п-р-п (обратной проводимости) - от базы к эмиттеру. В" транзисторах структуры р-п-р на коллектор подается отрицательное напряжение относительно эмиттера и открывающий сигнал, поступающий на базу, также отрицательной полярности. В транзисторах структуры п-р-п напряжение на коллекторе и открывающий сигнал базы положительной полярности.

в полевых транзисторах управление осуществляется напряжением, поступающим на затвор, относительно истока. На счок транзистора с р-каналом подается отрицательное напряжение oi-иосительно истока, с я-каналом - положительное. Траизисторч с р-я-переходом и р-каналоы закрываются при положительном напряжении на затворе, превыщающем напряжение отсечки, с р-/г-переходом и п-каналом - при отрицательном напряжении на затворе.

Наша промышленность выпускает транзисторы в металлических и пластмассовых корпусах. Металлические корпуса выпускают цилиндрической формы с технологическим ободком, пластмассовые - полуцилиндрнческие, прямоугольные, полушаровыз и др. Размеры корпусов зависят от мощности транзисторов и бывают от нескольких миллиметров до нескольких сантиметров.

Интегральная микросхема (сокращенно - микросхема) представляет собой электронное изделие, содержащее элементы с большой плотностью размещения, расположенные в одном корпусе и электрически соединенные в одни или несколько функциональных узлов.

По технологии изготовления различают гибридные и полупроводниковые микросхемы. Гибридные микросхемы содержат набор бескорпусных полупроводниковых компонентов (транзисторов, диодов), а также набор элементов (резисторов, конденсаторов малой емкости), образуемых напыленными пленками иа поверхности подложки. Выводы компонентов электрически соединены с элементами с применением специальной техвологии. В полупроводниковой микросхеме все элементы н межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводниковой пластинки, расположенной в корпусе.

По функциональным особенностям различают аналоговые и цифровые микросхемы. Аналоговые микросхемы предназначены для усиления и преобразования непрерывных сигналов, генерирования импульсов различной формы. Цифровые микросхемы пред-наз!1ачены для выполнения логических и математических действий и работают с дискретными сигналами, имеющими два условия: высокий, принятый за логическую единицу, и низкий - принятый за логический нуль.

Условное обозначение микросхем состоит из четырех элементов. Первый элемент обозначения микросхем широкого применения - буква К, Второй - трехзначное число (серия микросхемы), первая цифра которого указывает на технологию изготовления (четные цифры - гибридные микросхемы, нечетные - полупроводниковые); две последующие цифры соответствуют порядковому номеру разработки серии. Третий элемент - две буквы, обозначающие функциональное значение микросхемы. Четвертый элемент- цифра (одна или две), указывающая на порядковый номер микросхемы в серии.

Микросхемы выпускают в прямоугольных пластмассовых, ме-таллополимерных или металлостеклянных, а также круглых ме-таллостеклянных корпусах.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ НЕИСПРАВНОСТЕЙ И ЗАМЕНА РАДИОДЕТАЛЕЙ

Вышедший из строя постоянный резистор зачастую можно определить визуально по выгоранию поверхностного слоя краски или по нарушению его целостности. Следует знать, что длительный