diodes. - «Electron Lett.», 1969, v. 5, № 3, p. 53.

21. Hayasii T. Three-terminal GaAs switches. -«1ЕЕЕ Trans.», 1968, V. 15, № 2, p. 105-110.

22. Fleming P. L. GaAs domain mode frequency memory. - «Ргос. ШЕЕ»,

1968, V. 56, № 11, p. 2082-2083.

23. Boccon-Gibod B. Rectangular-pulse generator and memory element with a Gunn-diode. - «Electron. Lett.s,

1969, V. 5, № 5, p. 91-92.

24. Sugeta Т., Yanai H., Ikoma T. Switc-ning properties of bulk-effect digital devices. -«ШЕЕ Trans.», 1970, V. ED-17, № 10, p. 940-942.

25. Hashizume N., Kawashima IVl., Kataoka S. - Nucleation and control of departure of a high-field domain by gate electrode. «Electron. Lett.», 1971, № 8, p. 195-197.

26. Tomizawa K., Kawashima M., Kataoka S. New logic functional device using transverse spreading of a high-field domain in и-Туре GaAs. - «Electron. Lett.», 1971, v. 7, № 10, p. 239-240.

27. Sugeta Т., Tanimoto iVl., Yanai H. Gunn Effect Digital functional Device. - «Journal of the Faculty of Eng., The University of Tokyo (B)», Г972, V. 31, p. 773-833.

28. Engelbrecht R. S. Bulk effect devices for future transmission systems. - «Bell. Lab. Rec.», 1967, v. 45, № 6, p. 192-201.

29. Shoji JW. Controlled bulk semiconductor current pulse generation. - «Ргос. ШЕЕ», 1967, v. 55, № 5, p. 710-711.

30. Shoji M. Functional bulk semiconductor oscillators. - «1ЕЕЕ Trans.»,

1967, V. ED-14, № 9, p. 535-546.

31. Jeppsson В., iVlarklund L, Olsson K. Voltage tuning of concentric planar Gunn diodes.-«E!ectron. Lett,», 1967, V. 3, № n, p. 498-500.

32. Clarke G. JVl., Edridge A. L., Bass J. C. Planar Gunn-effect oscillators with concentric electrodes.- «Electron. Lett.», 1969, v. 5, № 20, p. 471-472.

33. Newton C. O. Theoretical analysis of domain propagation in Gunn diodes with angular geometry. - «Brit. J. Appl. Phys. (J. Phys. D.)», 1969, ser. 2, V. 2, № 3, p. 341-356.

34. Newton C. O., Bew G. Frequency measurements on Gunn effect devices with concentric electrodes.-«J. Phys. D: Appl. Phys.», 1970, v. 3, № 8, p. 1189-1198.

35. Guetin P. Gunn effect with two samples in parallel. - «Electron. Lett.»,

1968, V. 4, № 4, p. 63-64.

36. Shoji iVl., Dorman P. W. Capacitively coupled GaAs current waveform ge-

nerator. - «Ргос. 1ЕЕЕ», 1968, V. 56, № 9, p. 1613-1614.

37. Кастальский A. A., Леонов E. И., Шур iVl. C. Приборы на эффекте Ганна с переменной энергетической «щелью». - «ФТП», 1970, т. 4, № 8, с. 1609-1611.

38. Ваганов В. Н., Кузнецов В. IVl. .Моделирование диода Ганна. - «Известия вузов СССР. Радиоэлектроника», 1970, т. 13, № 3, с. 409-412.

39. Сапельников А. Н., Старосельский В. М. Электронная модель диода Ганна. - «Известия вузов СССР. Радиотехника», 1971, т. 14, Ао 1, с. 105-106.

40. Mantena N. R., Wright М. L. Circuit model simulation of Gunn effect devices. - «ШЕЕ Trans.», 196Э, V. MTT-17, № 7, p. 363-373.

41. Robrock R. B. Analysis and simulation of domain propagation in non-uniformly doped bulk GaAs. - «ШЕЕ Trans,», 1969, V. ED-16, № 7, p. 647-653.

42. Suga JVl., Sekido K. Effects of doping profile upon electrical characteristics of Gunn diodes. - «ШЕЕ Trans.», 1970, V. ED-17, № 4, p. 275-281.

43. Petzinger K. G., Hahn A. E., Matzelle A. CW three.-terminal GaAs oscillator. - «ШЕЕ Trans.», 1967, V. ED-14, № 7, p. 403-404.

44. Califano F. P., Steele M. C. Three terminal GaAs light emitter-modulator device. - «Elect. Lett.», 1968. V. 4, № 19, p. 411-412.

45. Califano F. P. Frequency modulation of three-terminal Gunn devices by optical means. - «1ЕЕЕ Trans.», 1969, V. ED-16, № 1, p. 149-15!.

46. Zuleeg R., Ranon V. Coupling of light emission and negative resistance in a GaAs diode. - «Appl. Phys. Lett.», 1969, v. 15, № 6, p. 168-170.

список ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Sterzer F. Information Processing with transferred electron devices. - «RCA Rev.», 1973, v. 34, № 1, p. 152-163.

2. Nakamura M., Kurono H., Toyabe Т., Hirao M., Kodera H. Switching speed and power dissipation of planar-type Gunn diodes. - «Sol.-St. Electron.», 1973, V. 16, № 1, p. 75-83.

3. Kuromada K-, iVlizutani Т., Fujimo-to M. High-field layers in planar Gunn diodes.-«J. Phys. D.», 1974, V. 7, № 3, p. L49-L52.

К главе 12

1. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. Под ред.

Ф. п. Кесаманлы и Д. Н. Наследо-ва. М., «Наука», 1973.

2. Bulman Р. I., Hobson G. S., Taylor В. С. Transferred Electron Devi-ces», London - New York, Acad. Press, 1972.

3. Lawley K. L., Sobers R. G., Knight S., Klein D. L. Af-type GaAs for CW microwave devices. - «1ЕЕЕ Trans.», 1966, V. ED-13, № 1, p. 201-202.

4. Colen Rene. Properties of GaAs for Gunn-diodes. - «Electron. Design*, 1966, V. 14, № 14, p. 21-22.

5. Riro N., Yasuhiro K-, Takashi H., Yamada T. Bulk GaAs microwave oscillators. - «Rev. Electr. Comm. Lab.», 1969, V. 17, p. 58-69.

6. Гольдберг Ю. A., Наследов Д. Н., Царенков Б. В. Шетоляка изготовления поверхностно-барьерных структур химическим осаждением металлов па поверхность по.яупроводни-ка. - «ПТЭ», 1971, № 3, с. 207-209.

7. Sah С. Т., Forbes L., Rosier L. L., Tasch A. F., Jr. Thermal and optical emission and capture rates and cross sections of electrons and holes at imperfection centers in semiconductors from photo and dark junction current and capacitance experiments.-«Sol. St. Electron.*, 1970, V. 13, № 6, p. 759-788.

8. Van der Pauw L. J. A method of measuring specific resistivity and Hall effect of discs of arbitrary shape.-«Philips Res. Repts.*, 1958, v. 13, № 1-3, p. 1-9.

9. Van der Pauw L. J. A method of measuring the resistivity and Hall coefficient on the lamellae of arbitrary shape. - «Phil. Techn. Rev.», 1958/59, V. 20, № 8, p. 220-224.

10. Levinshtein JVl. E., Lvova T. V., Nasledov D. N., Shur JVl. S. JVlagnetic field influence on the Gunn effect (П). -«Phys. Stal. Solidi (a), 1970, V. 1, № 1, p. 177-187.

11. Jervis T. R., Johnson E. F. Geometrical magnetoresistance and Hall mobility in Gunn effect devices. - «Sol.-Stat. Electron.*, 1970, v. 13, № 2, p. 181-189.

12. Denker S. P. Rational design of Gunn- and LS.4-diode electrodes. - «Electron. Lett.», 1968, v. 4, № 14, p. 294-296.

13. Кэррол Дж. СВЧ генераторы на горячих электронах. Пер. с англ. JVl., «Мир», 1972.

14. Bott 1. В., Hilsum G., Smith К. С. Н. Construction and performance of epitaxial transferred electron oscil a-tors. - «Sol.-St. Electron.*, 1967, v. 10, № 2, p. 137-144.

15. Contacts for Gunn diodes. - «Com-286

mun. News.», 1966, v. 3, № 9, p. 27-29.

16. Brady D. P., Knight S., Lawley K. L., Uenohara M. Recent results with epitaxial GaAs Gunn effect oscillators. - «Ргос. 1ЕЕЕ», 1966, V. 54, № 10, p. 1497-1498.

17. Bass J. С Edridge A. L., Knight J. R. Gunn effect oscillators with vapor-grown contact layers. - «Electron. Lett.», 1967, V. 3, № 1, p. 24.

18. Braslau N., Gunn J. В., Staples J. L. Metal-semiconductor contacts for GaAs bulk-effect devices. - «Sol.-St. Electron.*, V. 10, № 5, p. 381-383.

19. Cox R. H., Strack H. Ohmic contacts for GaAs devices. - «Sol.-St. Electron.*, 1967, V. 10, № 12, p. 1213-1218.

20. Чигогидзе 3. H., Хучуа H. П., Гут-ник л. М. и др. О механизме отказа диодов Ганна. - «ФТП», 1972, Т. 6, № 9, с. 1670-1676.

21. Jarbrough D. W. Status of diffusion data in binary compound semiconductors. - «Sol. St. Techn.», 1968, № 11, p. 23-31.

22. Zn and Те implantations into GaAs.- «J. .Appl. Phys.», 1967, V. 38, № 4, p. 1975-1976.

23. Larrabee R. D., Hicinbothem W. A., Steele M. C. A rapid evaluation technique for functional Gunn diodes.- «1ЕЕЕ Trans.», 1970, v. ED-17, № 4, p. 271-274.

24. Hayashi Т., Uenohara M. Evaluation of metal-semiconductor contacts in bulk GaAs oscillators by the photovoltaic effect. - «1ЕЕЕ Trans.», 1966, v. ED-13, № 1, p. 200-201.

25. Colliver D. I., Gibbs S. E., Taylor B. C. Material Selection for Efficient Transferred - Electron Devices Ai Q Band. -«Electron. Lett.», 1970, V. 6. Ко. 11, p. 353-355.

26. Hasty T. E., Stratton R., Jones E. L. Effect of nonuniform conductivity on the behavior of Gunn effect samples.-«J. Appl. Phys.», 1968, V. 39, № 10, p. 4623-4632.

27. BauPhan K. M., Myers F. A., Kei-lett G. High power pulsed Gunn effect oscillators using series and parallel arrays of devices. In: 8th Int. Conf. on Microwave and Optical Generation and Amplification (MOGA). Amsterdam, 1970, paper 2.3.

28. Bird J., Bolton R. M. G., Edridge A. L. Gunn diodes with improved frequency-stability (temperature variations).- «Electron. Lett.», 1971, V. 7, № 11, p. 299-301.

29. Jeppsson В., Marklund I. Failure mechanisms in Gunn diodes. - «Elec-tron Lett.», 1967, v. 3, № 5, p. 213- 214.

30. Haisty R. W., Hoyt P. L. Investigation of voltage breakdown in semi-insulating GaAs. - «So!. Stat. Electron.*, 1967, V. 10, № 8, p. 795-800.

31. Carlson R. O., Slack G. A., Silverman S. I. Thermal conductivity of GaAs and GaAsi-Pi laser semiconductors.- «J. Appl. Phys.», 1965, V. 36, № 2, p. 505-507.

32. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М., «Наука», 1964, с. 214.

33. Knight S. Heat flow in n++-n-n+ epitaxia! GaAs bulk effect devices.- «Ргос. 1ЕЕЕ», 4967, v. 55, № 1.

34. LSA diodes with improved heat sink. - «Electronics», 1969, v. 42, № 4, p. 64.

35. Knight S. Current runaway in n-GaAs bulk effect. - «Ргос. 1ЕЕЕ», 1966, V. 54, № 7, p. 1004-1005.

36. Bravraan J. S., Eastman L. F. Thermal effects of the operation of high average power Gunn devices. - «IE:EE Trans.», 1970, v. ED-.17, № 9.

СПИСОК ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. De Sa B. A. E., Hobson G. S. Design criteria for C. W. Gunn oscillators with good frequency-temperature stability. - «So!.-St. Electron.*, 1973, V. 16, № II, p. 1261-1266.

2. Cohen J., Gilden Ш. Temperature stability of an MIC Gunn-effect CW oscillator. - «1ЕЕЕ Trans.*, 1973, MTT-21, № 2, p. 115-116.

3. Hasegewa F., Aono Y. Thermal limitation for C. W. output power of a Gunn diode. - «So!. St. Electron.*, 1973, V. 16, № 3, p. 337-344.

4. Narayan S. Y., Paczkowski J. P. Integra! heat sink transferred electron oscillators. -«RCA Rev.», 1972, v. 33, № 4, p. 752-765.

К ПРИЛОЖЕНИЮ

1. Cohen M. L., Bergstresser T. K. Band structures and pseudo-potential form factors for 14 semiconductors from the diamond and zincblende structures. - «Phys. Rev.», 1966, v. 141, № 2, p. 789-796.

2. McGroddy J. C. Negative differential conductivity in semiconductors. - In.: Proc. 10th Int. Conf. on Phys. Semicond., 1970, Cambridge, Mass.

3. Hillbrand H. Monte-Carlo calculation of NDR in gallium antimonide.- «Phys. Stat. Solidi (a),» 1971, v. 5, № 2, p. kll3-kll4.

4. ZaIIen R., Paul W. Effect of pressure on interband reflectivity spectra of germanium and related semiconductors. - «Phys. Rev.», 1967, V. 155, № 3, p. 703-711.

5. Sturge M. D. Optical absorbtion of

GaAs between 0,6 and 2,75 ev.- «Phys. Rev.», 1962, v. 127, № 3.

6. James L. W., Moll J. L. Transport )roperties of GaAs obtained from pho-oemission measurements. - «Phys.

Rev.*, 1969, V. 183, № 3, p. 740-753.

7. Ehrenreich H. Band structure and electron transport of GaAs. - «Phys. Rev.*, 1960, V. 120, Ns 6.

8. Спайсер У. E., Идеи P. К- Фотоэмиссионные исследования зонной структуры полупроводников.-В кн.; «Труды IX Межд. конф. по физике полупроводников», Москва, 1968. М. - Л., «Наука», 1969, с. 68-96

9. James L. W., Van Dyke J. P., Herman F., Chang D. M. Band structure and high-field transport properties of InP. -«Phys. Rev. B.», 1979, V. 1, № 10, p. 3998-4004.

10. Хиггинботэм С. У., Поллак Ф. X., Кардена М. Зонная структура и оптические постоянные InSb, InAs и CaSb; кр-метод. - В кн.: «Труды IX межд. конф. по физике полупроводников». Москва, 1968. М. - Л, «Наука», 1969, с. 61-67.

11. Поровски С. Энергия L-минимума и механизм эффекта Ганна в n-InSb. В кн.: Труды Симпозиума по физике плазмы и электрическим неустойчивостям в твердых телах. Вильнюс, 1971, «Минтис», 1972, с. 250-252.

12. Zwerdling S., Lax В., Roth L. М. Oscillatory magneto-absorptioin semiconductors. - «Phys. Rev.», 1957, V. 108, № 6, p. 1402-1408.

13. Lorentz M., Chicotka R., Pettit G. D., Dean P. J. The fundamental absorption edge of AlAs and AlP. - «Sol.-

r Stat. Comm.», 1970, v. 8, Ns 9.

14. Onton A., Lorenz M. R. Electronic structure of III-V alloys from luminescence.- In.: Proc. 10 th Int. Conf. on Phys. Semicond., 1970, Cambridge, Mass., p. 444-449.

15. Hilsum C, Rees H. D. A detailed analysis of three-level electron transfer.-In.: Proc. 10th Int. Conf. on Phys. Semicond., 1970, Cambridge, Mass., p. 45-51.

16. Marple D. T. F. Effective electron mass in CdTe. - «Phys. Rev.», 1963, V. 129, № 6, p. 2466-2470.

17. Matatagui E., Thompson A. G., Car-dona M. Thermoreflectance in semiconductors.- «Phys. Rev.», 1968, V. 176, Ns 3, p. 950-960.

18. Shay J. L., Spicer W. E., Herman G. Photoemission study of the electronic structure of CdTe. - «Phys. Rev. Lett.*, 1967, V. 18, № 16, p. 649-654.

19. Colliver D. J., Prew B. A., Rees H. D. InP three level transferred electron devices.- In.: Proc. European Microwave conf., Sweden, 1971, p. A 2/3.