rential conductivity in germanium. Tlieory. - «IBM J. Res. Dev.», 1969,

V. 13, p. 562-567.

47. Favifcett W., Paige E. G. S. Negative differential resistance in n-type germanium.- «Electron. Lett.», v. 3, № M, p. 505-507.

48. Dumke W. P., High-field conductivity of the <111> valleys of Ge.-«Phys. Rev. B.», 1970, v. 2, № 4, p. 987-996,

49. Chang D. JVl., Ruch J. G. Measurement of the velocity-field characteristic of electrons in germanium.- «Appl. Phys. Lett.», 1968, v. 12, № 3, p. 111-112.

50. Elliot B. J., Gunn J. В., McGroddy J. C. Bulk negative differential conductivity and travelling domains in n-type germanium. - «Appl. Phys. Lett.*, 1967, V. 11, № 8, p. 253-255.

51. McGroddy J. C, Nathan M. !. A new current instability in «-type germanium.-«IBM J. Res. Dev.», 1967, V. 11, № 3, p. 337-340.

52. Дж. К. Мак-Гродди. Осцилляции тока, бегущие волны объемного заряда и домены. n-Ge.- В кн.: Труды IX межд. конф. по физике полупроводников.-Москва, 1968, М. - Л. «Наука», 1969, с. 1041-1046.

53. McGroddy J. С, Nathan М. I., Smith J. Е. Negative conductivity effects and related phenomena in germanium. Pt. I. -«IBM J. Res. Dev.», 1969, V. 13, № 5, p. 543-553.

54. Smith J. E., Nathan M. I., McGroddy J. C. Negative conductivity effects and related phenomena in germanium. Pt. II. - «IBM J. Res. Dev.», 1969, V. 13, p. 554-561.

56. Ridley B. K-, Watkins T. B. The possibility of negative resistance effects in semiconductors. - «Proc. Phys. Soc.» (London), 1961, v. 78, p. 293-304.

56. Кастальский A. A., Рывкин С. М. Ганн-эффект в одноосно сжатом германии. - «ФТП», 1967, т. 1, вып. 4, с. 622-625.

57. Asche М., Sarbei О. О. Current oscillations in n-type silicon.- «Phys. Stat. Solidi (a)», 1971, v. 8, № 1, p. K61-K62.

58. Gram N. O. Measurement of bulk negative differential conductivity in n-type silicon.-«Phys. Lett.», v. 38A, № 4, p. 235-236.

59. Jorgensen M. H., Gram N. O., Meyer N. I. Negative differential conductivity and current oscillations in lightly doped n-type silicon. - «Sol.-St. Comm.», 1972, v. 10, № 4, p. 337-340.

список ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Yoshio N., Akinori S., Tadahiro O. Domain Transit-mode oscillation in planar-type Gunn Device of InP. - «Proc. !EEE», 1974, v. 62, № 1, p. 142-143.

2. Bauhahn P. E., Haddad G. I. Mas-nary N. A. Comparison of the Hot Electron Diffusion Rates for GaAs and InP. - «Electron Lett.», 1973, V. 9, № 19, p. 460-461.

3. Inoue M. V-E Characteristics in III-V Mixed Crystals GaSbxAi x and InGai-xAs. - «Japan. Appl. Phys.», 1973, V. 12, № 6, p. 932.

4. Hayes R. E. Measurement of the velocity-field characteristic of indium phosphide by microwave absorption technique. - «1ЕЕЕ Trans.*, 1974, v. ED-21, № 3, p. 233-235.

5. Hojo A., Kuru I. Gunn effect in InxGai-.xSb.-«Electron. Lett.», 1974, V. 10, № 6, p. 61-62.

6. Hillbrand H. A. High-frequency behavior of electron transfer in InP and GaAs from a dynamical Monte-Carlo study. - «J. Phys. C. SoI.-St.»,

1972, V, 5, № 24, p. 3491-3501.

7. Heaton Hi J. L., Hammond G. H., Goldner R. B. Time-flight mobility and trapping results for ZnSe. - «Appl. Phys. Lett.», 1972, v. 20, № 9, p. 333-336.

8. Alberigi Quarantra A., Borsari V., Jacoboni C, Zanarini G. Electron diffusion in CdTe.-«Appl. Phys. Lett.»,

1973, V. 22, № 3, p. 103-105.

К главе 5

1. Levinshtein M. E., Nasledov D. N., Shur M. S. Magnetic field influence on the Gunn effect. - «Phys. Stat. Solidi*, 1969, V. 33, № 2, p. 897-903. Levinshtein M. E., Lvova T. V., Nasledov D. N., Shur M. S. Magnetic field influence on the Gunn effect (11). -«Phys. Stat. Sohdi (a)», 1970, V. 1, № 1, p. 177-187.

2. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М., «Мир», 1967, с. 174- 183.

3. McCumber О. Е., Chynoweth А. G.

Theory of negative-conductance amplification and of Gunn instabilities in «two-valIey» semiconductors. - «1ЕЕЕ Trans.», 1966, v. ED-13, № 1, p. 4-21.

4. Boardman A. D., Fawcett W., Ruch J. G. Monte-Carlo determination of hot electron galvanomagnetic effects in gallium arsenide. - «Phys.

Stat. Solidi (a)», 1971, v. 4, № 1, p. 133-141.

5. Heinle W. Influence of magnetic field on tlie Gunn effect characteristic of GaAs. -«Phys. Stat. Solidi (ab, 1970, V. 2, № 1, p. ill5-121.

6. Левинштейн M. E. Канд. дисс. Теоретические и экспериментальные исследования эффекта Ганна в GaAs. Л., ФТИ, 1970.

7. Law Н. С, Као К- С. High-field jalvanomagnetic effects in two-val-ey я-type semiconductors. - «Sol.-St. Electron*, 1970, v. 13, № 9, p. 1223- 1230.

8. Guetin P., Hervouet C. Decrease of the apparent threshold of the Gunn effect by transverse magnetic field.- «Proc. IEEE (Letters)», 1968, v. 56, Ло 9, p. 1597-1598.

9. Воробьев В. Н., Шинкарёва Л. П. В.тияние геометрии образца на пороговое напряжение эффекта Ганна в поперечном магнитном поле.- «ФТП», 1971, т. 5, с. 952-953.

10. Acket G. А. Determination of the Holl mobility of hot electrons in gallium arsenide using 8-mm microwaves.-«Phys. Lett.», 1967, v. 25A, Sept. № 5, p. 374-376.

11. Прохоров Э. Д., Шалаев В. Л. Влияние магнитного поля на генерируемые доменом сильного поля носители в условиях ударной ионизации при эффекте Ганна. - «ФТП», 1970, т. 4, в. 10, с. 1993-1995.

2, Lees J., Wasse М. P., Kinp G. Inter-band carrier transfer in GaAs at high pressures. - «Sol.-St. Comm.», 1967, V. 5, № 7, p. 521-523.

13. Keyes R. W. The effects of hydrostatic pressure on the properties of III-V semiconductors. - «Semicon-dnclors and Semimetals», New York-London, 1968, v. 4, p. 327- 342.

14. Inoue M., Nakade Y., Shirafiiji J., Inuishi Y. Temperature dependence of the velocity-field characteristic in я-tvpe GaAs.-«J. Phys. Soc. Japan.», 1972, V. 32, № 4, p. 1010-1018.

15. Thim H. W. Potential distribution and field dependence of electron velocity in bulk Ga.s measured with a point-contact probe. - «Elec1ron. Lett.», 1966, v. 2, № 20 (Novemb.), p. 403-405.

Thim H. W. Temperature effects in bulk GaAs amplifiers. - «1ЕЕЕ Trans.», 1967, V. ED-14, № 2, p. 59-62.

16. Haydl W. H., Solomon R. The effect of illumination on Gunn oscillations in epitaxial GaAs. - «1ЕЕЕ Trans.», 1968, V. ED-15, № II, p. 941-942.

17. Seweli K- G., Boatner L. A. Multimo-de operation in Gunn oscillators induced by cooling and illumination. - «Proc. IEEE (Correspondence)», 1967, V. 55, № 7, p. 1228-1229.

18. Myers F. A., McStay J., Taylor B. C. Variable-length Gunn oscillator. - «EIectron. Lett.», 1968, v. 4, № 18, p. 386-387.

19. Adams R. F., Schulte H. J. Optically triggerable domains in GaAs Gunn diodes. - «Appl. Phys. Lett.», 1969, v. 15, № 8, p. 265-267.

20. I go Т., Ohwado K., Noguchi J. Regenerative light pulse detection using the Gunn effect. - «Japan. J. Appl. Phys.», 1970, V. 9, № 10, 1283-1285.

21. Riesz R. P. Optical interaction with high-field domain nucleation in GaAs. - «1ЕЕЕ Trans.*, 1970, V. ED-17, № 1, p. 81-83.

22. Левинштейн M. E. Влияние освещения на параметры диодов Ганна. - «ФТП», 1973, т. 7, № 7, с. 1332- 1337.

23. Brehm G. Е., Pearson G. L. Effects of gamma radiation on Gunn diodes.-«1ББЕ Tran.», 1970, V. ED-17, № 6, p. 475-479.

24. Heeks J. S., Wood A. D. Localized temporary increase in material conductivity following impact ionization in a Gunn-effect domain. - «1ЕЕЕ Trans.», 1967, V. ED-14, № 9, p. 512-517.

25. Стафеев В. Н. Канд. дисс. Л. ФТИ, 1958.

26. Ridley В. К., Pratt R. G. Hot electrons and negative resistance at 20°K in «-type germanium containing Au-centres. - «J. Phys. Chem. Sol.», 1965, V. 26, № 1, p. 21-31.

27. Barraud A. Semiconductors - the behavior of high resistivity gallium arsenide when subjected to high electric fields. -«Compt. Rend.», 1963, V. 256, № 17, p. 3632-3635.

28. Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Миронов А. Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М., «Наука», 1972.

29. Багаев В. С, Берозашвили Ю. Н., Вул Б. М. Подвижные электрические домены в полуизолирующем арсениде галлия. - «ФТП», 1968, т. 2, № 6, с. 843.-849.

30. Tokumaru Y., Kikuchi М. Current oscillation and light probe measurement of high-field domain velocity in photo-excited high-resistivity GaAs.- «Japan J. Appl. Phvs.», 1968, v. 7, № 1, p. 95-97.

31. Heeks J. S. Some properties of the movin.g high-field domain in Gunn effect devices. - «1ЕЕЕ Trans.», 1966, V. ED-13, № 1, p. 68-79.

32. Guentin P. Contribution to the experimental study of the Gunn effect in long GaAs samples. - IEEE Trans.*, 1967, V. ED-14, № 9, p. 552-562.

33. Шур 1Л. С. Влияние зависящего от поля захвата носителей на эффект Ганна. - «ФТП», 1970, т. 4, № 6, с. 1202-1204.

34. Shur т. S. The influence of the field-depended trapping on the Gunn effect.- In.: 8th Int. Conf. on JVlicro-wave and Optical Generation and Amplification (MOGA). Amsterdam, 1970, paper 9.4.

35. Бородовский П. A., Токарев A. С. Аномальные осциллящш тока диода Ганна при низкой температуре.- «ФТП», 1973, т. 7, № 10, с. 2033- 2036.

36. Казаринов Р. Ф., Сурис Р. А. Эффект Ганна в компенсированных полупроводниках. - «ФТТ», 1971, т. 13, № 9, с. 2664-2674.

37. Гельмонт Б. Л., Шур М. С. Аналитическая теория рекомбинацнонных доменов. - «ФТП», 1971, т. 5, № И, с. 2116-2126.

38. Gelmont В. L., Shur iVl. S. Analytical theory of the high-field domain in the presence of trapping. - «Phys. Lett.*, 1972, V. 38A, № 7, p. 503-504.

39. Гельмонт Б. Л. Шур IVl. С. Рекомбинационные домены сильного поля в полупроводниках с двумя сортами носителей. - «ЖЭТФ*, 1971, т. 61, No 6, с. 2419-2428.

40. Волков А. Ф., Коган Ш. iVl. Физические явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью. «УФН», 1968, т. 96 № 4, с. 633-672.

41. Tokumaru Y. Current oscillations and high-field domains in photoexcited high-resistivity GaAs. - «Japan J. Appl. Phys.», 1969, v. 8, № I; p. 76-81.

42. Ridley B. K-, Crisp J. J., Shishiya-nu F. Slow domains and negative resistance via the enhanced capture of transferred electrons in n-type GaAs. -«J. Phys. C: Sol.-St. Phys.», 1972, V. 5, № 2, p. 187-198.

43. Tokumaru Y., Mikoshiba N. Low-frequency current oscillation in high-resistivity ft-InP. - «Sol.-St. Comm.*, 1972, v. 10, № 3, p. 261-263.

44. Engelmann R. Simplified model for the domain dinamics in Gunn effect semiconductors covered with dielectric sheets. - «Electron. Lett.*, 1968, V. 4, № 24, p. 546-547.

45. Kino G. S., Robson P. N. The effect of small transverse dimensions on the operation of Gunn devices.- «Ргос. 1ЕЕЕ», 1968, V. 56, № 11, p. 2056-2057.

46. Hartnagel H. L. Gunn instabilities with surface loading. - «Electron Lett.*, 1969, V. 5, № 14, p. 303-304.

47. Gueret P. Limits of validity of the 1-dimensional approach in space-charge-wave and Gunn-effect theories.- «Electron. Lett.», 1970, v. 6, № 7, p. 197-198.

48. Gueret P. Stabilization of Gunn oscillations in layered semiconductor structures. - «Electron. Lett.», 1970. V. 6, № 20, p. 637-638.

49. Masuda M., Chang N. S., Matsuo Y. Suppression of Gunn-effect domain formation by ferrimagnetic mete-rials. - «Electron. Lett.», 1970, V. 6, № 19, p. 605-606.

50. Hartnagel H. L. Magnetic surface loading of Gunn oscillators and resulting new devices. - «Sol.-St. Electron.*, 1970, V. 13, No 7, p. 931-936.

51. Suga M. Field distribution in a Gunn diode with a distributed capacitance electrode.-«Ргос. IEEE*, 1969, v. 57, No 2, p. 154-155.

52. Kataoka S., Tateno H., Kawashima M. Two-dimensional computer analysis of dielectric-surface-loaded GaAs bulk element. - «Electron. Lett.*, ! 970, V. 6, № 6, p. 169-171.

53. Freeman K. R., Sozou C, Hartnagel H. L. Two-dimensional Gunn-do-main growth in bulk GaAs. - «Phys. Lett.», 34A, Na 2. p. 95-96.

54. Shoji M. Theory of transverse extension of Gunn-domains. - «J. Appl. Phys.», 1970, V. 11, № 2, p. 774-778.

55. Microwave oscillation and amplification in a long bulk GaAs with ВаТЮз sheets on the surface. - In: Proc. 7th. Int. ConL Microwave Optical Generation and Amplification, 1968, Hamburg, VDE Verlag Gmbh., Berlin, p. 454.

56. Kataoka S., Tateno H., Kawashima M. Improvements in efficiency and tuna-bility of Gunn oscillators by dielectric-surface loading. - «Electron. Lett.*, 1969, V. 5, № 20, p. 491-492.

57. Kozdon P., Robson P. N. Two-port amplifiers using the transferred electron effect in GaAs.- In: 8th Int. Conf. on Microwave and Optical Generation and Amplification (MOG.A). Amsterdam, 1970, paper 16.2.

58. Kumabe K. Suppression of Gunn os-eiliations by a two-dimensional effect. - «Ргос. 1ЕЕЕ», 1968, V. 56, N1 !2,- p. 2172-2173.

59. Левинштейн М. E. О влиянии диэлектрических покрытий на параметры генерации планарных ганновских диодов». - «ФТП*, 1973, т. 7, № 10, с. 2016-2018.

60. Hoffman К. R. Some aspects of Gunn oscillations in thin dielectric-loaded