деленной емкостью диффузионных резисторов, так как паразитный эффект емкостей коллектор - подложка сведен к минимуму за счет выбора технологии с диэлектрической изоляцией элементов.

Резисторы аппроксимировались дискретными RC-ans-ментами (использованы эквивалентные схемы диффузионных резисторов, приведенные в гл. 1). Паразитные емкости рассчитывались с учетом потенциалов на краях изолирующих их р - п-переходов.

,Р2 ZZO

R1 880

Юн 75

R9 1н

4=08

0*1.

0,01

10",

-jOff

Рис. 2.59

Эквивалентная схема универсального ШИУ

При составлении эквивалентной схемы интегрального усилителя транзисторы Т5 п Т8 в диодном включении заменены соответствующими эквивалентными схемами (транзистор с защунтированным резистором 0,01 Ом переходом коллектор - база), а полупроводниковый конденсатор С1 (переход база - коллектор транзистора) - соответствующей эквивалентной емкостью, величина которой рассчитывалась по формуле (гл. 1).

У-параметры интегральных транзисторов измерялись на пяти дискретных частотах в диапазоне 10-200 МГц (10, 60, 120, 200 МГц) в соответствующих электрических режимах (транзистор первого каскада - /э=3 мА, [/кэ= -3 В; второго каскада -/э=4 мА; ?7кэ=6 В, третьего каскада - /э=3 мА, t/Ko=3 В; четвертого каскада - Д- ==7 мА, [/кэ=6 В).

Далее возможны два пути расчета: непосредственное использование полученных значений У-парамегров, и аппроксимирование полученных кривых (графики час-180

тотных зависимостей У-параметров) удобными математическими выражениями с частотным аргументом, дающими плавные кривые, проходящие через измеренные точки. В проводимом расчете использовался первый путь. Для этого были составлены матрицы всех активных элементов согласно их схемам включения с номерами строк и столбцов, соответствующих тем узлам схемы, к которым они подключены. После этого матрицы транзисторов были вписаны в полную матрицу схемы, согласно которой по стандартным выражениям [7] опре-

ПМГц

5 10 50 60 Г,МЩ 5)

80 100 т

Рис. 2.60

Частотная зависимость модуля коэффициента усиления (а) и мо-

дуля фазы (б) ШИУ: а) AAA и б) ООО расчет; а) ХХХ и ААД -эксперимент

0,1 5 10 SO ВО 100 /ГА/* -/ 5 10 Z0 ВО 5.ЦГц

а) 5)

Рис. 2.61

Частотные зависимости модуля {а) и фазы (6) входного сопро-

тивления ШИУ;

ООО - расчет, ДДЛ - эксперимент

делены следующие параметры: Ки, 2вх и Zbhx в диапазоне рабочих частот. Результаты расчета выводятся на печать в виде таблиц величин модулей и фаз параметров усилителя, при использовании которых построены графики: на рис. 2.60 - частотные зависимости модуля и фазы коэффициента усиления, на рис. 2.61-входного импеданса, на рис. 2.62 - выходного импеданса. На этих же рисунках нанесены экспериментальные кривые рассчитанных параметров. Следует отметить, что расчетные

у-параметры

153У8)

Р а зли ч ных

сочетаниях

частота [мгц 1

1 го

2 0 0