Схема реализована в виде полупроводниковой ИС с диэлектрической изоляцией элементов (микрофотография кристалла представлена на рис. 2.9). В ИС транзисторы Т1-ТЗ и Т5 имеют одинаковую многополосковую структуру (рис. 1.20) для реализации низкого уровня коэффициента шума, идентичного изменения параметров при регулировке усиления и температурной стабильности в процессе эксплуатации. Транзисторы Т4, Т6-TS имеют однополосковую структуру и меньшие размеры по сравнению с предыдущими для реализации более высокой граничной частоты усиления, причем Т7 и Т8 согласованы между собой по размерам. Транзистор Т9 выполнен с удлиненным эмиттером для повышения эффективности его работы при больших токах на низко-омную нагрузку. Конденсатор С„ор выполнен в виде коллекторного перехода транзистора с большой площадью базы. Это позволяет реализовать емкость конденсатора 10 пФ с точностью ±20%. Диффузионные резисторы и контактные площадки размещены в отдельных изолированных областях. Кристалл на эвтективе монтируется в корпусе типа ТО-5 с 12 выводами. Технологический процесс изготовления ИС аналогичен описанному в гл. 1.

Из рис. 2.8 следует, что имеет место схемная конфигурация ОЭ-ОК-ОЭ-ОК, т. е. чередование каскадов с ОЭ и ОК, что приводит к подключению на вход каскада с общим эмиттером выходного импеданса эмиттерного повторителя с индуктивным характером. Частотная характеристика каскада ОЭ с коррекцией будет определяться свойствами цепи коррекции, индуктивной составляющей выходного импеданса каскада с ОК, параметрами транзисторов и нагрузки. Индуктивная составляющая импеданса может быть использована для выполнения частотной коррекции входной проводимости каскада с ОЭ, что позволяет увеличить добротность каскада из-за влияния постоянной времени базовой цепи транзистора. Так как в реальных ИС условие полной компенсации входной проводимости каскада с ОЭ обычно не выполняется, то эффект базовой коррекции несуществен, хотя и оказывает влияние на характеристики каскада. К примеру, в схеме рис. 2.8 выходной импеданс Т4 частично компенсирует входную емкость Т6, что приводит к некоторой коррекции АЧХ усилителя на частотах 50 ... 120 МГц (3-4 дБ, см. АЧХ каскада

id рис. 2.10 при Скор=Спар, где через Спар обозначена иаразитная емкость в цепи коррекции).

В универсальном усилителе можно варьировать верхнюю граничную частоту корректируемого каскада от 50 j,o 200 МГц при изменении величины емкости Скор от i2 до 5,1 пФ [17, 23] (рис. 2.10).

ио 80 110 1дО 100 то Р,МГц -Рис. 2.10

АЧХ каскада с емкостной коррекцией универсального ШИУ

If, RI

510 К,

3,3к

rV Т 5

--dZb Что

уг- Гв

47л-

Т7гЛТ9

4- 75

п -о

7(7 ШО

5"7,:7

Рмс. 2.11

ис широкополосного УПЧ

/772

R13 510

/7/4

<Ь<?

Схема ШИУ (рис. 2.11), предназначенного для УПЧ, в основном построена аналогично схеме рис. 2.8. Каскад с емкостной коррекцией выполнен на транзисторах Т6-Т10 (двухсоставной генератор тока на последних четырех транзисторах). Двухполюсник i?KopCKop состоит из навесного резистора и конденсатора величиной

22 пФ. Для увеличения коэффициента усиления выходной каскад усложнен. Он включает составной эмиттерный повторитель на транзисторах ТИ, Т12 и выходную «двойку» с общей ООС на транзисторах Т13 и ТМ, соединенных между собой конденсатором Ci=IO нФ. Конструктивно и технологически ИС широкополосного УПЧ (микрофотография кристалла представлена на рис. 2.12) спроектирована и изготовлена подобно универсальному ШИУ. Из конструктивных особенностей этой ИС следу-

Рис. 2.72

Общий вид кристалла ШИУ с емкостной коррекцией на основе двухсоставного генератора тока

ет отметить изготовление в одном кристалле двух конденсаторов величиной 10 и 22 пФ, а также выполнение в процессе эмиттерной диффузии пересечений проводников в виде низкоомных переходов (шин). Широкополосный УПЧ имеет одногорбую АЧХ, форма которой определяется: в области низких частот - переходным конденсатором Ci=10 пФ, в области верхних частот - параметрами корректирующего двухполюсника РкорСкор-На рис. 2.13 приведены полученные экспериментально АЧХ корректированного каскада с двухсоставным ГТ в зависимости от Скор: граничная частота изменяется в пределах 5 ... 120 МГц при изменении Скор от 22 до 5,1 пФ.

Благодаря использованию составного (л=2) генератора тока в корректированном каскаде (рис. 2.11) удалось применить корректирующий конденсатор величи-92