Главная  Радио и связь 

0 1 2 3 [ 4 ] 5

-ЁО-

9--*

.0,3

точка



э 6 н >


г-1 •

10,4

98,5

о 12

з0«

Оранжевая

j точна


9-

-/00-

S 6 н

Орлнже$ая Уточка

11.8


Оракжеия ггочка

УФ!1

fS,8

«г*


Рие. 10. Конструктивныечертежп и цоколезка

Зот8. ФЛ5


транзисторов (к табл. 4, 5, 6).



g Таблица 7

Предельно допустимые режимы применения и тепловые характеристики транзисторов

Типытран-зистора

С/1 (Г), к.э.доп в

Сэ.доп (Г), в

Г2~ . к.доп •С

П1А-И

0.05(30°)

-20(30°)

-60+70

П2А П2Б

0,25(25°)

-100(250) -50(25°)

10 25

-60+50

ПЗА ПЗБ ПЗВ

1(25°)

3.5(50°)

-50(25°)

150 250 450

-60+50

П4А П4Б П4В

2(25°)

30(30°)

-60(50°) -70(50°) -40(50°)

-50(50°) -60(50°) -35(50°)

-50(50°) -60(50°) -35(50°)

-60+90

-60(50°)

-50(50°)

-50(50°)

-60(50°)

-50(50°)

-50(50°)

П5А-Д

0,025(25°)

-20(50")

-10(50°)

-20(50°)

1 ООО

-60+75

П6А-Д

0.15(25°)

-30(50°)

-10(50°)

-30(50°)

-60+100

0,045(25°)

-13(50°)

-6.5(50°)

1 ООО

-60+75

П8-11

0,15(25°)

+20(50°)

+ 10(50°)

+20(50°)

-60+100

П12, 406. 407 П13-16 П19. 408. 409

0,03(70°) 0.15(25°) 0.03

-6(70°)

-30(50°)

-20(25°)

-6(50°)

-15(50°)

-6(50°)

.-6(70°)

-30(50°)

-20(50°)

5 10 5

30 50 30

500 500 1 ООО

-60+85

-60+100

-60+90

П25, А. Б П26, А, Б

0,2(35°)

-60(25°) -100(25°)

-60+70

П101-103

0,15(75)

-...... -

+ 10»(75°)

, +10(75°)

-60+150

П104 П105 П106

0,15(75°)

-100(40°)

-45(4Q°)

-45(40°)

-60(40°) -30(40°) -15(40°)

-45(40°)

-60+150

П201-202 П203

1(50°)

10(65°)

-30(50°) -60(50°)

-22(50°) -30(50°)

-35(50°) -45(50°)

1,5 а

-60+100

П207. А П208, А

4(30°)

100(25°)

-45(25°) -65(25°)

-40(25°) -60(25°)

-20(25°) -30(25°)

25 а

-60+85

П209, А П210, А

1.5(25°)

60(25°)

-45(25°) -65(25°)

-40(25°) -60(25°)

12 а

-60+85

П401-403 П404-405 П410-411

0.1(35°)

0,01(35°)

0.1(25)

-20(35°)

-5(35°)

-8(25°)

-10(35°) -4,5(35) -6(25°)

-1(35°) -5(35°)

10 5 20

500 5 000 600

-60+85 -60+85 -60+85

Для транзисторов типов П4, П207-210 указано Ук-э.доп "Р" сопротивлении цепи базы не (П207-208) и 10 ои (П209~210); для остальных типов-прн отключенной базе.

Для типов П2 и ПЗ указаны предельно допустимые температуры окружающего воздуха. » Для типа П101 C/g = 20 в (при ГЗ" С).

более 15 ом (П4), 5 ом



Таблица 8

Краткие справочные данные некоторых типов транзисторов зарубежных фирм

Класс

Pg, лет

во П

§

§

и. Мгц

СК721

р-П-рн.Ч.

СК722

р-п-рн.ч.

0С15

р-п-ри.ч., М

5 вт

OG30

р-п-рв.ч., М

1,5 вт

ОС45

р-п-ръ.ч.

ОС70

р-п-рн ч.

0С71

р-п-ри.ч.

ОС72

р-п-ри.ч., П

0,35

ОС390

р-п-рв.ч.

>20

ОС400

р-п-рв.ч.

>20

OC4I0

р-п-рв.ч.

>20

>12

ОС601

р-п-рн.ч.

>9

>0.25

ОС602

р-п-рн.ч.

>0,25

ОС604

р-п-рн.ч.

>0.7

ОС604 Spez

р-п-рн.ч., П

OC6I2

р-п-рв.ч.

OC6I3

р-п-рв.ч.

OD603

р-п-рн.ч., М

4 вт

OD604

р-п-рн.ч., М

1,5 вт

OD605

р-п-рн.ч., М

15 вт

п-р-пв.ч., SI

904А

п-р-пв.ч.. Si

4-30

>8

п-р-пв.ч.. Si

п-р-пн.ч.,1Л Si

1 вт

п-р-пн.ч.,М. Si

1 вт

-fSO

п-р-пн.ч.,М. Si

1 вт

+120

2N34

р-п-рн.ч., П

2N35

п-р-пн.ч., П

2N43A

р-п-рн.ч., П

2N44

р-п-рн.4., П

2N78

п-р-пв.ч.

2N94

п-р-пн.ч.

2N102/13

п-р-пн.ч., М

20 вт

2N104

р-п-рн.ч.

2N107

р-п-рн.ч., П

2N109

р-п-рн.ч., П

2N112A

р-п-рв.ч.

. 50

>20

2N113

р-п-рв.ч.

>20

2N114

р-п-рв.ч.

>20

2N123

р-п-рвч., П

2N135

р п-рв.ч.

2N136

р-прв.ч.

2N170

п-р-пв.ч.

2N176

р-п-рн.ч., М

10 вт

tlрддолженйе табл. 8

Класс

§

. 2

4 вт

10 вт

0,65

17

500 ген.

100 уснл] 1.5

,450

""0,5

5 на

150 Мгц

5 на

100 Мгц

20 вт

-120

-105

0,75

170 вт

2N188A 2N193 2N207A 2N212 2N213A -2N214 2N226 2N257 2N307A 2N338 2N371 2N384 2N406 2N425 2N426 2N428 2N502A 2N503 2N650 2N651 2N652 2N700 2N7I1 2N835 2N1008 2N1097 2N1185 2N1371 2N1395 2N1397 2N1400 2N1401 2N1465 2N2043A 2N2081

р-п-рн.ч., П п-р-пв.ч. р-п-рн.ч. п-р-пв.ч. п-р-пн.ч., п-р-пн.ч., р-п-рн.ч., р-п-рн.ч., р-п-рн.ч., п-р-пв.ч., р-п-рв.ч. р-п-рв.ч. р-п-рн.ч. р-п-рв.ч., П р-п-рв.ч. р-п-рв.ч., р-п-рв.ч. р-п-рв.ч. р-п-рн.ч., р-п-рн.ч., р-п-рн.ч., П р-п-рв.ч. р-п-рв.ч. п-р-пв.ч., П р-п-рн.4., П р-п-рн.ч., П р-п-рн.щ., П р-п-рн.ч. р-п-рв.ч. р-п-рв.ч. р-п-рв.ч. р-п-рв.ч. р-п-рн.ч. р-п-рн.ч.

п п п

,п п

р-п-рн.ч., М,П

Примечание. М -мощный транзистор; П -переключающий транзп-стор; Н.Ч.-низкочастотный транзистор; в.ч.-высокочастотный транзистор.



0 1 2 3 [ 4 ] 5


0.0162