Главная  Радио и связь 

0 1 2 [ 3 ] 4 5

Таблица

Электрические параметры маломощных низкочастотных плоскостных транзисторов

Режим измерения

Электрические параметры

а226.

мкмо

гб. ом

fa. Мгц

Ск. пф

р-п-р

Тоже

Тоже

Тоже

<30

>0,9

30

>0.93

<15

0,93-0,97

<30

0,96

<15

>0,94

>0,94

<20

<20

0,96

<200»

<200*

>0,9»

<30

>0,93

<15

0,95

<15

0.97-0,995

<30

0,97-0,995

<30

0,95-0,975

<30

>0,9

- ч

<15

>0,9

<15

>0,94

• <15

fe=0,97

<3,3 2

<1

<2

<2

<3,3

<2

<2

<3,3 <2,6 <2,6 <2,6 <2,6

(3-10-* (3-10-*) (3.10-«) (3-10-*) (3-10-*)

<3,3 <2 <2 <3,3

<5.I0-» <6.10-* <6.10-« <6.]0-*

<400

<400

<600

<600

<1 ООО

<1 200

<1200

>30 33 >37 >37 3=33 >30 35 >=30

>17 >17

>0,1

<35

<35

>0,1

>=0,1

-

<;18

- ,.

<35

>0,5

<60

<150

<35

<45

<150

<35

<40

<150

. -

(12)

(60)

>о,з

(60)

>о,з

(60) (60)

<10

>о,з

(60)

>0,1

<50

<33

>0,5

<50

<33

>0,5

<50

<зз

>1

<50

<15

<2

<6.10-*

-

<;12

>0,5

<50

Тоже

<30

0,97-0,995

С Ое п-р-п

<30 <15 <15 <15 <15

>0,9 0,9-0,95 >0,92 >=0,95 >0,95

<з,з

<2 <2

<з,з

<5.10-> <6.10-* <6.10-* <6.10-* <6.10-*

(36) (36) (36) (35) (35)

(IS) (12) <12 (12) (12)

>0,5 0,5

>1 >1,6

<65 <60 <60 <60

<;бо

П13Б

С Ое р-п-р

<15 <15 <10 <15 <15

0,92 >0,97 >0,92 0,95 0,95

<з,з

<2 <2

<з,з <з,з

<5.io-*

<6.10-« <6.10-*

<33 =33 <12 <33 33

>0,5 >0,5 0,5

>1 3=2

<50 <50 <50 <50 <50

<150 <150

П16А П16Б

То же

<25« <25« <25«

20-35 30-50 45-100

1 >1 1

П25А

П25Б

П26А

П26Б

То же

-20 -20 -20 -35 -35 -35

2,5 2.5 2,5 1.5 1,5 Г.5

<2008 <200« <2008 <200» <200« <200»

10-251» 20-50»

:;s30i« 10-251» 20-501»

301»

<3,5 <3.5 <3,5 <3.5 <3,5 <3,5

<500 <500 <500 <500 <500 <500

>0,2 0,2 >0,2 0,2 >0,2 >0,2

<70 <70 <70 <50 <50 <50

<100 <100 <100 <100 <100 <100



Продолжение табл. 4

О) m Я О.

Режим из-! мерения

Электрические параметры

Ч ъЪ

к.о-

Гд. ОМ

Рщ- Рб

S2 as

П101 П101А П102 П103

Si п-р-п

(0,1) 0,1) (0,1) (0,1).

>0,9

>о,э

>0,93 >0,9,

<з,з <з,з

<2 <3,3

(б.Ю-*) (5.10-*) (1..10-») (5.10-*)

<18

0.2 >0,2 >0,5 >1

(100) (100) (100) (100)

П104 П105 П106

С S1 р-п-р

(0,1) (0,1) (0.1)

0,9 0,9 >0,93

<3,3

<з,з

<2

(200) (200) (200)

>0,1 >0,1 0,5

(55) (05)

> Для типов П1 и П8-ПИ-в схеме с общим эмиттером при J?r= 600 ол и J?„= 30 кол; для типов П2-в схеме собщей базой при выходной мощности 100 мет, коэффициенте нелинейных искажений ие более 15%, J?r= 00 ом и J?g= 10 ком (П2А) или J?r=25 ол и Л„=2,5 ком (П2Б).

• В схеме с общим эмиттером иа частоте 1 ООО гц при Rj.= 600 ом; для типов П5 Ск= 1 в и /3=0,2 ма, а для всех остальных С/к= 1,5 в и /э= 0,5 ма.

• При С/к= -100 е.

• При Ug~ -50 «.

При fg= -10 в и /э= 1 ма.

• Ток коллектора запертого триода при С/=-15 в и С/б=-}-1.5 е. Величина В при Ск= -1 в и /к=10 ла.

« Величина /к.„ при С = -60 е.

• Величина „ при -100 е. " Величина Агхэ-

Таблица 5

Электрические параметры маломощных высокочастотных транзисторов

1"

Режим измерения

Электрические параметры

3" U

2 = tc м 2 м .й та п. О t-

о о ,« ч

"к-в

/к.о.

A216

Лггб

мкмо

fa. . Мгц

fMaKC Мгц

Cg, пф

Гб/. ом

Гб нбек

П406

П407

С Ое р-п-р

<6 <6 <6

0,95 >0,95 >0,95

<2, <2 <2

>10 • 20

-j6

<20 <20 <20

<150 <150 <150

П408

П409

То же

<6 <6

>0,95 >0,95 >0.95

<2 <2

>10

<20 <20 <20

<150

<1Ш, .

<2 500 <2 500 <3 ООО

П401 П402 П403 П403А

- Ое р-п-р

<Ш <5 <5 <5

>0,94 >0,94

0,94-0,97 0,97

<5 <5 <5

>30 60 >120 120

<15 <10 <10 <10

<3 500 <1 ООО <500 <500

П404 П404А П405 П405А

ПБ Ое

р-пр

<5 <2 <5 <2

>0,93 >0,93 >0,95 • 0,95 *

<6.7 <6,7, <6,7 <6,7

(10)

(20) (20)

>20-S20 >30 >30

«б)

«5) «5) «5)

<1700 <1 700 <1 500 <1 500

П410 П410А П411 П411А

ДС Ое р-п-р

<2 <2

<2. <2

0,965-0,99 •0,99-0,996 0,965-0,99 0,99-0,996

<10 <10 <10 <10

>200 >200 >400 >400

<4 <4 <4 <4

<300 <300 <200 <200



Электрические параметры мощных низкочастотных транзисторов"

Таблица 6

Обозначение транзистора

В схеме усилителя мощности класса А, включение с общим эмиттером

Электрические параметры

СЧ

>.о

R, , ом

S, ale,

к.нас

к.о (fK). ма (в)

к.н(к ). маЦв)

п.- f- .

ПЗА ПЗБ ПЗВ

0,13

>17 3.20 >25

2 >2 >2

<10(-50) <10(-50) <10(-50)

П4А П4Б П4В П4Г

П4Д!

>20 3=23 ;20 >27 >30

>5 15-40 " >10 15-30

>Щ

,5 0,5 . <0,5

«0,5(-I0) <0,4(-10) ,4(-10) <0,4(-10) <0,4(-10)

<50(-50) <20(-60) <20(-35) <20(-50) <20(-50)

П201А

П-202

П203

-15 - 15 -22 -28

0,34 0.34 0.24

40 40 40 20*

45 45 100 36*

2.5 2.5 2.5 10*

(25) (25) (25) (20).

1,2-1,8

>20 >40 >20 20

<0,5, <0,5 <0,5 <0,5

<0,4(-20) .<0,4(-20) =0,4(-30) 0,4(-30)

<5(-30) <5(-30) <5(-45) <5(-60)

П207

11-20

>15

0,5-1

<16( 45)

<10(-40)

П207А

>18

17-40

<0,6

<16(-45)

<10(-40)

П208

11-20

>1б

0,5-1

<25(-65)

<№(-60)

П208А

>18

3=15

<0,6

<25(-65)

<16(-60)

П209

5,5-10

0,5-1

<8(-45)

<5(-40)

П209А

5

>9

>15

<0,6

<8(-45)

<5(-40)

П210

-

5,5-10

>15

0,5-1

<12(-*5)

<8(-60)

П210А

>9

>15

<0,6

<12(-65)

<8(-60)

Все транзисторы сплавные германиевые структуры р-п-р.

При коэффициенте нелинейных искажений не более 10% для типов П4Б, В, Г, Д н не более 15% дляJ остальных типот. » Режим измерения параметров Л21Э и Ук-нас следующий:

Тип транзистора

ПЗА-В П4А-Д П201 -203 П207 - 208 П209 - 210

Л21Э

/к, 0

/б. а

0,15

-2

5

ю си

Для транзисторов типов П207- 210 в графе Л21Э указана величина В. В схеме двухтактного усилителя мощности класса В-



0 1 2 [ 3 ] 4 5


0.0096