другом, все контакты Ai соединены друг с другом и так далее до контактов Ад. которые также соединены друг с другом. Десять групп адресных линий образуют так называемую адресную шину.

В схеме такого типа в совпадающие моменты времени мы адресуем одну и ту же область в каждом кристалле 2102. Это позволяет нам формировать восьмиразрядные слова, записан-

/Idaec в Лдоес 6

Чтение/за ГТ

Адрес I [4 Адрес 2 Мдрес 3 Л.1рес 4 Адрес О

Адрес 7 Адрес 8 Адрес 9

Выбор кристалла

Выход данных

Вход данных

Т] Земля

Земля

An о-

Чтение/ о- /запиа

Схема запцси

Выбор

Ввод / вывод

32 строки 32 столбца

15 14

t 6

ООО А, А, А, А, Д

Рис. 12.9. Схема выводов кристалла памяти 2102 (а); внутренняя структура

кристалла 2102 {б).

Выход дшшх

Вход : данных

Ав о-

о-Лг °-

о-As-o-Ае о-

SIOZ Ж1

ТВшор присталла о-(тение/зрпись о-

i

----

«:

ИСЗ ИС7 13

Рис. 12.10. Запоминающее устройство емкостью 1024X8 разрядов на основе

ИС 2102.

яые в одной и той же области памяти. Разряд О будет записан в ИС 1, а разряд 7 -в ИС 8.

Несколько групп интегральных схем 2102 (имеются в виду группы емкостью 1 К байт каждая) также могут быть подключены к одной и той же адресной шине. С первого взгляда может показаться, что в этом мало пользы, так как мы, очевидно, создаем избыточный объем запоминающего устройства, помещая одни и те же данные в различных группах памяти. Однако это не так, поскольку каждая группа работает только тогда, когда ее шина выбор кристалла (ВК) находится под низким потенциалом. Если шины ВК всех других групп находятся под высоким потенциалом, они будут в выключенном состоянии и даже не загружают адресную шину и шину данных.

Шина чтение/запись (Ч/З) определяет, считываем ли мы данные из группы блоков памяти или записываем данные в этот блок. При высоком потенциале на шине Ч/З данные из области, адресуемой линиями Ло-Лд, появятся на восьмиразрядной шине параллельных выходных данных.

С другой стороны, если потенциал на линии Ч/З понижается, данные, появляющиеся на восьмиразрядной шине входных данных, будут записаны в области, адресуемые линиями Ло-Лд. Шины входных и выходных данных могут быть раздельными, как показано на рис. 12.10, либо они могут быть объединены в единую двунаправленную шину данных с использованием соответствующей логики. Большинство схем формирователей, используемых при работе с двунаправленными шинами данных.

состоят из четырех или восьми пар каскадов формирователей с тремя состояниями. Схемы формирователей могут быть либо выполнены на одном кристалле, либо собраны из нескольких отдельных элементов. Один каскад в каждой паре обозначается как «Вход», и вентильные выводы этих входных каскадов соединяются друг с другом. Аналогично остальные каскады обозначаются как «Выход» и их вентильные выводы соединяются друг с другом. Через логические вентили эти шины подключаются к шине Ч/З, так что соответствующее множество каскадов формирователей соединяются друг с другом в нужный момент времени.